Yole 最近的研究報(bào)告指出，中國(guó)大陸市場(chǎng)存儲(chǔ)芯片的崛起、倒裝芯片 DRAM 和 3D 堆疊技術(shù)的發(fā)展，將會(huì)給本土封裝廠商帶來重大利好。
數(shù)據(jù)顯示，從市場(chǎng)份額來看，2020 年到 2026 年，整體存儲(chǔ)封裝市場(chǎng)將以 7% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，至 2026 年將達(dá)到 198 億美元。
DRAM 封裝將是 2026 年最重要的存儲(chǔ)封裝領(lǐng)域，屆時(shí)將占有 70% 的市場(chǎng)份額。
從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，NAND 和 DRAM 封裝收入在 2020 年到 2026 年之間的復(fù)合年增長(zhǎng)率顯著，分別為 4% 和 9%。
從技術(shù)層面看，Wirebond（引線鍵合）之后，倒裝芯片將在 2026 年占據(jù)存儲(chǔ)封裝市場(chǎng)的最大份額，為 34%，主要用于 DRAM 封裝。
預(yù)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝（WLCSP）的收入將在 2020-2026 年以 14% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，但到 2026 年，就價(jià)值而言，其市場(chǎng)份額將僅占約 1%。
2026 年，Wirebond 分立式和多芯片將主導(dǎo)存儲(chǔ)封裝市場(chǎng)，其次是倒裝芯片。Wirebond 是 NAND 和移動(dòng) DRAM 最常見的封裝技術(shù)。
隨著摩爾定律的持續(xù)放緩和新的先進(jìn)封裝技術(shù)的興起，后端處理變得越來越重要。
從供應(yīng)鏈上看，2020 年，大約 68% 的存儲(chǔ)封裝收入來自 IDM 玩家。剩下的 32% 則由 OSAT 產(chǎn)生。
中國(guó)大陸的存儲(chǔ)封裝是 OSAT 廠商的關(guān)鍵商機(jī)。
中國(guó)大陸崛起的存儲(chǔ)制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ) (NAND) 和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) (DRAM) 將所有封裝外包給 OSAT 廠商。
▲ 2020-2026 年存儲(chǔ)封裝市場(chǎng)收入分類：IDM vs OSAT
其中橙色代表 IDM，黃色代表為非中國(guó)大陸 IDM 廠商做封裝的 OSAT 廠商，綠色代表為中國(guó)大陸 IDM 廠商做封裝的 OSAT 廠商
“在以數(shù)據(jù)為中心的現(xiàn)代社會(huì)中，存儲(chǔ)是一個(gè)關(guān)鍵市場(chǎng)，受到移動(dòng)端、云計(jì)算、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等重要大趨勢(shì)的推動(dòng)”，來自 Yole 的分析師 Simone Bertolazzi 斷言。“所有這些都在推動(dòng)所謂的‘?dāng)?shù)據(jù)生成爆炸’，并正在塑造未來幾年存儲(chǔ)需求的強(qiáng)勁增長(zhǎng)”。
NAND 和 DRAM 是主力存儲(chǔ)技術(shù)，合計(jì)占整體獨(dú)立存儲(chǔ)市場(chǎng)收入的約 96%。
Yole 半導(dǎo)體和軟件部門 NAND 和存儲(chǔ)器研究副總裁 Walt Coon 解釋說，“在 2020 年到 2026 年，NAND 和 DRAM 收入預(yù)計(jì)將分別以 9% 和 15% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，到 2026 年分別達(dá)到 930 億美元和 1550 億美元。”
存儲(chǔ)封裝市場(chǎng)遵循與獨(dú)立存儲(chǔ)市場(chǎng)相同的趨勢(shì)，因此將受益于存儲(chǔ)需求的強(qiáng)勁長(zhǎng)期增長(zhǎng)以及持續(xù)的晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)張。
Simone Bertolazzi 評(píng)論道：“我們預(yù)計(jì)用于存儲(chǔ)芯片的晶圓總量將從 2020 年的 3550 萬片增長(zhǎng)到 2026 年的 5000 萬片，2020 年至 2026 年間的復(fù)合年增長(zhǎng)率為 6%，而同一時(shí)期存儲(chǔ)封裝的數(shù)量復(fù)合年增長(zhǎng)率為 5%。”
2020 年整體存儲(chǔ)封裝市場(chǎng)規(guī)模為 131 億美元，相當(dāng)于獨(dú)立存儲(chǔ)市場(chǎng)的 10% 左右。
Yole 半導(dǎo)體和軟件部門 DRAM 和存儲(chǔ)研究副總裁 Mike Howard 補(bǔ)充道：“就封裝收入而言，DRAM 是 2020 年領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù)，占有 63% 的份額，而引線鍵合是主要的封裝方法, 主要用于移動(dòng)應(yīng)用程序。”
▲ 2020-2026 年存儲(chǔ)封裝市場(chǎng)收入變化
與獨(dú)立存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)較大的特點(diǎn)不同，存儲(chǔ)封裝市場(chǎng)較為穩(wěn)定，因?yàn)榇蟛糠謽I(yè)務(wù)是在 IDM 廠商內(nèi)部進(jìn)行的。Yole 估計(jì)，2020 年大約 68% 的存儲(chǔ)封裝收入來自 IDM 廠商，其余 32% 來自 OSAT 廠家。
中國(guó)大陸 OSAT 廠商迎來新機(jī)遇
中國(guó)大陸崛起的存儲(chǔ) IDM 廠商，長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，分別正在迅速增加其 NAND 和 DRAM 晶圓的產(chǎn)量。這兩家公司沒有完善的內(nèi)部封裝能力，必須將所有封裝外包給 OSAT 廠商。這對(duì) OSAT 廠商來說是一個(gè)獨(dú)特的商機(jī)，尤其是對(duì)那些在中國(guó)大陸的 OSAT 廠商。
根據(jù) Yole 關(guān)于存儲(chǔ)封裝的報(bào)告，來自中國(guó)大陸大陸本土的存儲(chǔ)供應(yīng)商對(duì) OSAT 廠商的收入貢獻(xiàn)可以從 2020 年的不到 1 億美元增長(zhǎng)到 2026 年的約 11 億美元。這相當(dāng)于 2020 年至 2026 年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為 55%。
中國(guó)大陸的 OSAT 廠商將首先受益于這個(gè)機(jī)會(huì)。中國(guó)大陸 OSAT 領(lǐng)域的三個(gè)主要玩家長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技正準(zhǔn)備加入競(jìng)爭(zhēng)。
▲ 存儲(chǔ)封裝方法從引線框架演變?yōu)榛?TSV 和混合鍵合的高級(jí)封裝
還需要注意的是，目前有兩個(gè)相反的趨勢(shì)正在影響存儲(chǔ)封裝業(yè)務(wù)：一方面，中國(guó)大陸存儲(chǔ)產(chǎn)量的增加正在推動(dòng) OSAT 收入的增長(zhǎng)；另一方面，IDM 正在增加其內(nèi)部后端能力，特別是對(duì)于高級(jí)封裝工藝，以減少對(duì) OSAT 的外包。 |
