時下，我國處理器研發(fā)和存儲器研發(fā)都已進入新階段。如果處理器研發(fā)單位能夠支持存儲器研發(fā)單位，基于創(chuàng)新的存儲器結構形成全新架構的信息處理產(chǎn)品，將是在市場、技術上都非常有價值的工作。

“一天一個價，甚至一天幾個價。”深圳華強北的存儲商戶們這樣描述近期的市場行情。11月，閃存龍頭閃迪宣布大幅調(diào)漲NAND閃存合約價格，漲幅高達50%，這已是其今年至少第三次漲價。在閃迪4月宣布全系漲價10%、9月初又執(zhí)行10%普漲后，此次單月50%的漲幅打破市場預期。相關機構預測，12月合約價仍將維持漲勢。

在這種情況下，更多存儲龍頭迅速跟進漲價。由于采購成本飆升，創(chuàng)見等下游存儲模組廠亦于11月7日起暫停報價交貨。該公司董事長束崇萬公開表示，AI正全面推動動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存需求攀升。

業(yè)內(nèi)普遍認為，此輪存儲漲價潮與以往不同，將開啟“超級周期”。在供需劇烈變動和產(chǎn)業(yè)鏈力量對比調(diào)整的驅動下，深層次的變革正在上演。

供需失衡導致價格上漲

記者梳理發(fā)現(xiàn)，存儲龍頭頻繁漲價的核心原因是供需失衡。AI革命正以前所未有的力量重塑存儲行業(yè)的市場需求格局。

中國互聯(lián)網(wǎng)協(xié)會專家咨詢委員會常務副主任邵廣祿介紹，智能體（Agent）發(fā)展非常快，每個應用程序（App）的Agent擁有率都在快速增長；每個人擁有、使用的Agent也在快速增長；Agent數(shù)量將超過App規(guī)模以及人類規(guī)模。

“存儲漲價的直接原因是近年來人工智能的爆發(fā)，其引發(fā)對AI數(shù)據(jù)中心建設方面的投資。”深圳理工大學算力微電子學院院長唐志敏介紹，這類智算中心，不僅要大量采購中央處理器（CPU）、圖形處理器（GPU）等算力芯片，也需要配置大量存儲。

具體來看，AI服務器對存儲的需求是普通服務器的數(shù)倍，單臺AI服務器的存儲配置達1.7TB，而傳統(tǒng)服務器僅為0.5TB，這直接拉動高帶寬存儲器（HBM）、第五代內(nèi)存（DDR5）及企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）等高性能產(chǎn)品缺口擴大。為滿足AI服務器需求，三星、SK海力士等海外原廠將產(chǎn)能加速轉向DDR5、HBM等高利潤的高端產(chǎn)品。然而，HBM產(chǎn)能擴張速度遠滯后于需求增長。媒體報道稱，SK海力士2026年底前的HBM產(chǎn)能已被AI大客戶提前鎖定，三星HBM產(chǎn)能留給中小廠商的份額不足10%。

與此同時，由于產(chǎn)能向高端產(chǎn)品轉移，第四代內(nèi)存（DDR4）等傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品的產(chǎn)能也持續(xù)縮減。而大量存量服務器和正在部署的新服務器仍然大規(guī)模依賴成熟、穩(wěn)定的DDR4內(nèi)存，但供給卻大幅減少，導致供不應求，價格飆升。DDR4半年累計漲幅超200%，服務器用DDR4近一個月漲幅達30%—70%，“前代產(chǎn)品價格反超新一代”的異常現(xiàn)象出現(xiàn)——DDR4價格甚至比DDR5高出一倍。

此外，行業(yè)競爭格局也在發(fā)生關鍵變化。存儲巨頭從規(guī)模競爭轉向技術縱深競爭，定價權進一步向掌握先進技術的廠商集中。例如，SK海力士2026年全系列存儲訂單已售罄，漲價趨勢可能延續(xù)至2026年。

下游產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)連鎖反應

存儲價格持續(xù)上漲引發(fā)下游產(chǎn)業(yè)的連鎖反應。具體來看，存儲模組廠位于存儲原廠下游，通過采購存儲晶圓并進行設計、封裝與測試，將標準化存儲顆粒轉化為終端存儲產(chǎn)品，是產(chǎn)業(yè)鏈承上啟下的關鍵環(huán)節(jié)，首當其沖承接上游漲價“風浪”。

采訪中，記者從深圳佰維存儲科技股份有限公司、深圳市朗科科技股份有限公司兩家公司了解到，他們的產(chǎn)品均隨行就市，“上游漲價，下游也傳導”。

在這一市場形勢下，很多頭部模組廠決定暫停出貨并重新評估報價。唐志敏坦言：“一旦看到需求增長，存儲器廠家借機漲價，完全可以理解。”

隨著漲價潮襲來，投資者的目光也聚焦于存儲板塊。11月以來，超半數(shù)存儲器概念股獲得融資資金加倉，其中6股月內(nèi)獲得融資凈買入均超1億元，包含江波龍、德明利、興森科技、兆易創(chuàng)新等。

招商證券披露，進入2025年三季度以來存儲行業(yè)全面進入加速上行周期，海外存儲原廠盈利能力持續(xù)提升，國內(nèi)部分存儲模組公司快速扭虧為盈，2025年下半年利潤預計將加速釋放。

同時，存儲價格上漲也觸發(fā)行業(yè)對數(shù)據(jù)中心、消費類電子產(chǎn)品等行業(yè)成本結構的“冷思考”。“存儲價格上漲，對使用存儲器較多的服務器等數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品影響較大，對消費電子產(chǎn)品的影響相對小一些。”唐志敏說，“從社會意義上來看，數(shù)據(jù)中心建設成本的增加至少可以延緩一些盲目上馬的建設項目，相關方可能會斟酌擬建智算中心是不是真能產(chǎn)生效益，新增AI算力是不是真能轉化為有效的、增值的生產(chǎn)力。”

存儲行業(yè)有望重新洗牌

存儲漲價潮也引發(fā)了對半導體行業(yè)的進一步思考。

“存儲漲價更深層原因，在于半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)部矛盾。”唐志敏介紹，處理器（CPU、GPU等）和存儲器（DRAM、NAND閃存等）是構造信息技術基礎設施的兩類主要部件，雖然它們對產(chǎn)品開發(fā)同樣重要，但在產(chǎn)業(yè)鏈上的地位卻全然不同，處理器占主導地位，存儲器處于從屬地位。

這種價值認知的差異，成為雙方在收益分配上的一個潛在博弈點。唐志敏說：“大家普遍認為處理器是特色產(chǎn)品，存儲器是標準產(chǎn)品，處理器技術含量高，存儲器技術含量低。其實存儲器產(chǎn)品也是基于最先進半導體工藝設計和制造的，難度也很大。”

這種因產(chǎn)品緊俏引發(fā)的價值認知的變化，或將重塑存儲行業(yè)，破解存儲器產(chǎn)品毛利偏低且內(nèi)卷的狀態(tài)。

有業(yè)內(nèi)人士分析稱，存儲市場在“AI重構”下，也將從消費驅動向技術驅動轉型。隨著大模型訓練和推理對內(nèi)存容量的需求激增，HBM和DDR5內(nèi)存的緊缺可能也將進一步傳導至整個存儲產(chǎn)業(yè)鏈。（記者 羅云鵬）

市場形勢倒逼國內(nèi)存儲企業(yè)迎難而上，在挑戰(zhàn)中把握高端突破的機遇。深圳華強北的存儲商家麥旻對此持樂觀態(tài)度。“要相信國內(nèi)存儲企業(yè)，他們的技術也在不斷迭代，存儲市場被海外頭部企業(yè)壟斷的格局可能很快就會被打破，從幾家獨大走向百家爭鳴。”他說。

記者梳理發(fā)現(xiàn)，目前有著國內(nèi)“存儲雙雄”之稱的長鑫科技、長江存儲亦處于產(chǎn)能擴張中。其中，長鑫科技主導DRAM國產(chǎn)化進程，長江存儲攻堅三維閃存（3D NAND）技術突破。

“時下，我國處理器研發(fā)和存儲器研發(fā)都已進入新階段。”唐志敏說，“如果處理器研發(fā)單位能夠支持存儲器研發(fā)單位，基于創(chuàng)新的存儲器結構形成全新架構的信息處理產(chǎn)品，將是在市場、技術上都非常有價值的工作。”