集成開關(guān)電源一直在沿著兩個(gè)方向不斷發(fā)展:第一是對(duì)開關(guān)電源的核心單元——控制電路實(shí)現(xiàn)集成化。第二個(gè)方向則是對(duì)中、小功率開關(guān)電源實(shí)現(xiàn)單片集成化。
單片開關(guān)電源集成電路具有高集成度、高性價(jià)比、最簡(jiǎn)單的外圍電路、最佳的性能指標(biāo)、能構(gòu)成高效率無工頻變壓器的隔離式開關(guān)電源等優(yōu)點(diǎn)。目前已成為國(guó)際上開發(fā)中、小功率開關(guān)電源、精密開關(guān)電源、特種開關(guān)電源及電源模塊的優(yōu)選集成電路。目前，單片開關(guān)電源已形成了幾十個(gè)系列、數(shù)百種產(chǎn)品。然而開關(guān)效率始終是一個(gè)眾人關(guān)注的問題。本文就此問題提出了一點(diǎn)自己的看法。
1 Topswitch芯片在開關(guān)電源中的應(yīng)用
70年代以來，電源產(chǎn)品掀起了一波高頻化、小型化、模塊化的浪潮。從而有力地促進(jìn)了單片開關(guān)電源的發(fā)展。對(duì)于200W以下的開關(guān)電源，與其他電路相比，應(yīng)用Topswitch系列器件的電路相對(duì)簡(jiǎn)捷，體積小，重量輕，自保護(hù)功能齊全，設(shè)計(jì)方便。另外，TOPSwitch器件不必另設(shè)散熱器，也節(jié)省了成本。其內(nèi)部的PWM控制器和MOSFET功率開關(guān)管是在管殼內(nèi)連接的，連線極短，這就消除了高頻輻射，改善了電源的電磁兼容性能，減小了器件對(duì)電路板布局和輸入總線的瞬變要求。
TOPSwitch-Ⅱ是TOPSwitch的改進(jìn)型號(hào)，與第一代產(chǎn)品相比，該器件在性能上有了很大改進(jìn)。它將單電壓輸入時(shí)的最大功率從100W提高到150W，電磁兼容性也得到了增強(qiáng)，而且具有更高的性能價(jià)格比，并使電源的體積和重量大為減小。由于它是將700 V的功率MOSFET、晶振、高壓開關(guān)電流源、限流和熱關(guān)斷電路集成于一體，并以其突破性的設(shè)計(jì)提供了一種高效率開關(guān)電源的設(shè)計(jì)方案，因而是具有偏置和自保護(hù)、電流線性占空比的變換器，該器件采用漏極開路輸出。
第三代TOPSwitch-FX系列是一種五端單片開關(guān)電源集成電路，它采用了“跳過周期”等新技術(shù)。如果開關(guān)電源的負(fù)載非常輕，以至于開關(guān)電源在最小占空比(Dmin=1.5％)之下所提供的輸出功率仍然超過負(fù)載功耗時(shí)，TOPSwitch—FX就采用跳過周期的工作方式來進(jìn)一步降低輸出功率，同時(shí)提高輕載時(shí)電壓的穩(wěn)定性。此方式可等效為先將占空比固定在1.5％(或更低值)上，然后用脈沖頻率調(diào)制(PFM)方式調(diào)節(jié)輕載時(shí)的U0值。這樣，根據(jù)負(fù)載的變化情況，開關(guān)電源能在正常工作和跳過周期方式之間自動(dòng)轉(zhuǎn)換，而無須其它控制。如不需要跳過周期，可在電源輸出端接上最小負(fù)載RLmin，并使D大于Dmin為1.5％的占空比。采用跳過周期模式不僅能獲得極低的輸出功率，而且還能減小噪聲電壓。
TOPSwitch-GX為第四代產(chǎn)品。它采用與TOPSwitch相同的拓?fù)潆娐穪韺⒏邏汗β蔒OS-FET、脈寬調(diào)制(PWM)控制器、故障自動(dòng)保護(hù)和其它控制電路集成到單片CMOS芯片中，并將工作頻率提高到132 kHz，同時(shí)也拓展了TOP-Switch系列的功率范圍，將單電壓輸入時(shí)的最大功率提高到250 W。此外，它還集成了多項(xiàng)新功能，因此有效地降低了系統(tǒng)成本，提高了設(shè)計(jì)的靈活性、以及功能和效能。
2 影響單片開關(guān)電源效率的主要因素
TOPSwitch系列芯片作為單片開關(guān)電源的一部分，對(duì)電源效率有著一定的影響。圖1所示是以ST204A型單片開關(guān)電源模塊的內(nèi)部電路。實(shí)際上，圖中電源的大部分功率損耗是由TOP204Y、鉗位二極管(VDZ)、輸出整流管(VD2)、共模扼流圈(L2)、整流橋(BR)、高頻變壓器(T)及輸入電容(C1)、輸出電容(C2)等產(chǎn)生的。它們也是影響電源效率的主要因素。
3 提高單片開關(guān)電源效率的方法
3.1 正確確定初級(jí)電路元器件
(1)輸入整流橋(BR)的選擇
選擇具有較大容量的整流橋并使之工作在較小的電流下，可減小整流橋的壓降和功率損耗，提高電源效率。由二極管構(gòu)成的整流橋(BR)的標(biāo)稱電源電流IN應(yīng)大于在輸入電壓為最小值(Umin)時(shí)的初級(jí)有效電流，功率因數(shù)應(yīng)取0.6～0.8之間，其具體數(shù)值取決于輸入電壓u和輸入阻抗。
(2)鉗位二級(jí)管(VDZ)的選擇
鉗位電路主要用來限制高頻變壓器漏感所產(chǎn)生的尖峰電壓并減小漏極產(chǎn)生的振鈴電壓。在圖1所示的單片開關(guān)電源模塊電路中，輸入鉗位保護(hù)電路由VDZ和VD1構(gòu)成。為降低其損耗，VDZ可選用P6KE200型瞬變電壓抑制二極管；VD1則選用BYV 26C型快恢復(fù)二極管。
(3)輸入濾波電容(C1)
輸入濾波電容C1用于濾除輸入端引入的高頻干擾，C1的選擇主要是正確估算其電容量。通常輸入電壓U1增加時(shí)，每瓦輸出功率所對(duì)應(yīng)的電容量可減小。
集成開關(guān)電源一直在沿著兩個(gè)方向不斷發(fā)展:第一是對(duì)開關(guān)電源的核心單元——控制電路實(shí)現(xiàn)集成化。第二個(gè)方向則是對(duì)中、小功率開關(guān)電源實(shí)現(xiàn)單片集成化。
單片開關(guān)電源集成電路具有高集成度、高性價(jià)比、最簡(jiǎn)單的外圍電路、最佳的性能指標(biāo)、能構(gòu)成高效率無工頻變壓器的隔離式開關(guān)電源等優(yōu)點(diǎn)。目前已成為國(guó)際上開發(fā)中、小功率開關(guān)電源、精密開關(guān)電源、特種開關(guān)電源及電源模塊的優(yōu)選集成電路。目前，單片開關(guān)電源已形成了幾十個(gè)系列、數(shù)百種產(chǎn)品。然而開關(guān)效率始終是一個(gè)眾人關(guān)注的問題。本文就此問題提出了一點(diǎn)自己的看法。
1 Topswitch芯片在開關(guān)電源中的應(yīng)用
70年代以來，電源產(chǎn)品掀起了一波高頻化、小型化、模塊化的浪潮。從而有力地促進(jìn)了單片開關(guān)電源的發(fā)展。對(duì)于200W以下的開關(guān)電源，與其他電路相比，應(yīng)用Topswitch系列器件的電路相對(duì)簡(jiǎn)捷，體積小，重量輕，自保護(hù)功能齊全，設(shè)計(jì)方便。另外，TOPSwitch器件不必另設(shè)散熱器，也節(jié)省了成本。其內(nèi)部的PWM控制器和MOSFET功率開關(guān)管是在管殼內(nèi)連接的，連線極短，這就消除了高頻輻射，改善了電源的電磁兼容性能，減小了器件對(duì)電路板布局和輸入總線的瞬變要求。
TOPSwitch-Ⅱ是TOPSwitch的改進(jìn)型號(hào)，與第一代產(chǎn)品相比，該器件在性能上有了很大改進(jìn)。它將單電壓輸入時(shí)的最大功率從100W提高到150W，電磁兼容性也得到了增強(qiáng)，而且具有更高的性能價(jià)格比，并使電源的體積和重量大為減小。由于它是將700 V的功率MOSFET、晶振、高壓開關(guān)電流源、限流和熱關(guān)斷電路集成于一體，并以其突破性的設(shè)計(jì)提供了一種高效率開關(guān)電源的設(shè)計(jì)方案，因而是具有偏置和自保護(hù)、電流線性占空比的變換器，該器件采用漏極開路輸出。
第三代TOPSwitch-FX系列是一種五端單片開關(guān)電源集成電路，它采用了“跳過周期”等新技術(shù)。如果開關(guān)電源的負(fù)載非常輕，以至于開關(guān)電源在最小占空比(Dmin=1.5％)之下所提供的輸出功率仍然超過負(fù)載功耗時(shí)，TOPSwitch—FX就采用跳過周期的工作方式來進(jìn)一步降低輸出功率，同時(shí)提高輕載時(shí)電壓的穩(wěn)定性。此方式可等效為先將占空比固定在1.5％(或更低值)上，然后用脈沖頻率調(diào)制(PFM)方式調(diào)節(jié)輕載時(shí)的U0值。這樣，根據(jù)負(fù)載的變化情況，開關(guān)電源能在正常工作和跳過周期方式之間自動(dòng)轉(zhuǎn)換，而無須其它控制。如不需要跳過周期，可在電源輸出端接上最小負(fù)載RLmin，并使D大于Dmin為1.5％的占空比。采用跳過周期模式不僅能獲得極低的輸出功率，而且還能減小噪聲電壓。
TOPSwitch-GX為第四代產(chǎn)品。它采用與TOPSwitch相同的拓?fù)潆娐穪韺⒏邏汗β蔒OS-FET、脈寬調(diào)制(PWM)控制器、故障自動(dòng)保護(hù)和其它控制電路集成到單片CMOS芯片中，并將工作頻率提高到132 kHz，同時(shí)也拓展了TOP-Switch系列的功率范圍，將單電壓輸入時(shí)的最大功率提高到250 W。此外，它還集成了多項(xiàng)新功能，因此有效地降低了系統(tǒng)成本，提高了設(shè)計(jì)的靈活性、以及功能和效能。
2 影響單片開關(guān)電源效率的主要因素
TOPSwitch系列芯片作為單片開關(guān)電源的一部分，對(duì)電源效率有著一定的影響。圖1所示是以ST204A型單片開關(guān)電源模塊的內(nèi)部電路。實(shí)際上，圖中電源的大部分功率損耗是由TOP204Y、鉗位二極管(VDZ)、輸出整流管(VD2)、共模扼流圈(L2)、整流橋(BR)、高頻變壓器(T)及輸入電容(C1)、輸出電容(C2)等產(chǎn)生的。它們也是影響電源效率的主要因素。
3 提高單片開關(guān)電源效率的方法
3.1 正確確定初級(jí)電路元器件
(1)輸入整流橋(BR)的選擇
選擇具有較大容量的整流橋并使之工作在較小的電流下，可減小整流橋的壓降和功率損耗，提高電源效率。由二極管構(gòu)成的整流橋(BR)的標(biāo)稱電源電流IN應(yīng)大于在輸入電壓為最小值(Umin)時(shí)的初級(jí)有效電流，功率因數(shù)應(yīng)取0.6～0.8之間，其具體數(shù)值取決于輸入電壓u和輸入阻抗。
(2)鉗位二級(jí)管(VDZ)的選擇
鉗位電路主要用來限制高頻變壓器漏感所產(chǎn)生的尖峰電壓并減小漏極產(chǎn)生的振鈴電壓。在圖1所示的單片開關(guān)電源模塊電路中，輸入鉗位保護(hù)電路由VDZ和VD1構(gòu)成。為降低其損耗，VDZ可選用P6KE200型瞬變電壓抑制二極管；VD1則選用BYV 26C型快恢復(fù)二極管。
(3)輸入濾波電容(C1)
輸入濾波電容C1用于濾除輸入端引入的高頻干擾，C1的選擇主要是正確估算其電容量。通常輸入電壓U1增加時(shí)，每瓦輸出功率所對(duì)應(yīng)的電容量可減小。 |
